简介： 本发明公开的一种提高冶金硅纯度的方法,包括a、对冶金硅进行初步提纯,得到纯度为4-5N的多晶硅块的步骤;b、对4-5N的多晶硅块进行进一步纯化,得到纯度为6-7N的太阳能级多晶硅的步骤;其步骤b包括①、冷坩埚制备步骤;②、装填料步骤;③、除硼步骤;④、除磷步骤;⑤、冷却步骤;⑥、整理步骤。采用本发明的方法,能够得到纯度在6N以上,其中硼含量低于0.3ppm,磷含量低于0.1ppm,符合太阳能级多晶硅质量要求的6-7N的太阳能级多晶硅。本发明还公开了实现该方法的装置。