简介： 本发明涉及制造太阳能电池的扩散工艺,尤其是冶金级多晶硅太阳能电池磷扩散工艺,该工艺首先进行高温晶界吸杂,利用高温使杂质原子在原沉淀处释放,同时扩散并移动至晶界缺陷处沉积,在晶界附近形成洁净区;其次进行中低温磷沉积,在中低扩散温下短时间进行淡磷扩散沉积,完成表面低浓度磷沉积,为下步长时间高温驱入做准备;然后进行高温深结晶界扩散钝化,在高温长时间磷源驱入,形成晶界处的深PN结,使磷在晶界面处会产生磷吸杂及磷漂移场钝化;最后再进行扩散,调整至所需要的方块电阻值。本发明利用杂质在多晶硅中扩散的一些特性,可以大大降低本会发生在晶界处的少子复合,工艺完成后硅片少子寿命较正常工艺生产硅片的少子寿命有所提升,对最后电池性能有积极作用。