简介： 本发明公开了一种粉末冶金金属硅太阳能电池衬底制备工艺,将3N及以下的金属硅原材料经过制粉、成型与烧结,制成特定形状的金属硅锭子,而后切割成300～500微米厚的薄膜太阳能电池衬底。该工艺制备之衬底经特殊扩阻挡层处理后,可用作直接生长大晶粒高质量多晶硅、非晶硅薄膜的衬底。衬底和薄膜的热膨胀系数匹配,避免了高温或冷却过程中薄膜开裂和剥落。本工艺采用的原料成本低、工艺简单并适于大规模工业生产。它的开发成功为薄膜太阳能电池工业化打下了坚实基础。