简介： 本发明公开了一种降低冶金级硅太阳能电池暗电流的扩散工艺，第一步进行低温浓磷扩散，在较低温度下，通入高浓度磷源进行扩散，形成高浓度磷掺杂；第二步进行高温长时间磷吸杂，在较高温度下使铁、碳、硼、氧等杂质的沉淀态杂质、替位态杂质或者其它杂质复合体释放成间隙态杂质，间隙态的杂质快速扩散到高固溶度的磷硅玻璃层中，完成高温磷吸杂，提升体少子寿命；第三步低温推进，在较低温度下，推进结深、并调整至工艺要求的方块电阻；并且随着温度的降低表面浓磷区域杂质固溶度降低，使间隙态的杂质转变成沉淀态、复合体等形态的杂质。采用本发明扩散工艺对冶金级晶体硅片进行扩散，可以有效降低太阳电池的暗电流，提高太阳电池的转换效率。