简介： 本发明涉及一种用于冶金级硅电磁悬浮处理的电磁悬浮线圈和方法，属于电磁悬浮熔炼技术领域。该用于冶金级硅电磁悬浮处理的电磁悬浮线圈，电磁悬浮线圈包括上端线圈和下端线圈；下端线圈与上端线圈为反向串联绕制，绕匝间距为0.5～1.0mm；所述上端线圈为1～2匝，内径为16～22mm；所述下端线圈为3～5匝，内径为16～22mm；所述两个上、下端线圈之间的间距为10～15mm；所述绕制线圈的材料采用直径为4～6mm的空心铜导管，绕制线圈的悬浮样品质量为0.6～1.0g，悬浮样品初始位置为两个线圈之间的间距中心位置下5～10mm。本发明通过改变电磁悬浮线圈的结构特性，使半导体材料冶金级硅快速升温，促使冶金级硅的电导率急剧上升，使其达到感应加热及悬浮精炼条件。