简介： 本发明涉及一种使用冶金级硅制备多孔硅纳米线的方法，它包括以下步骤：（a）将冶金级硅浸入不同有机溶液中，分别超声处理15~30分钟；（b）将超声处理后的冶金级硅浸入氧化溶液中，在50~90℃条件下反应0.5~5小时得氧化冶金级硅；（c）置于质量浓度为10~30%氢氟酸溶液；（d）真空溅射30~60秒得到银沉积冶金级硅；（e）将所述银沉积冶金级硅浸入氢氟酸与强氧化物的混合溶液中，在40~80℃条件下超声1~5小时后取出放入管式炉中通含氟气体2~3小时并进行干燥；（f）表面进行剥离得到多孔硅纳米线。一方面离子溅射仪沉积的银纳米粒子颗粒均匀，有利于在硅纳米线上形成孔径均匀的多孔结构；另一方面缩短时间、提高效率；而且该发明简单易行，适于大规模生产。