简介： 一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法,涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单,适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗,烘干;将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行磷扩散吸杂热处理,然后冷却硅片;将得到的硅片浸泡在HF溶液中;将硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层,清洗后吹干,烘烤,得磷吸杂后的多晶硅片。