简介： 本实用新型提出了一种发光器件芯片，包括：自下而上依次为透明衬底、外延层N区、N面电极、有源区、外延层P区和P面电极，所述透明衬底通过第二键合介质与所述外延层N层结合，所述透明衬底通过生长衬底的转换方式形成。本实用新型的生长衬底的As不会带入发光器件制备的后续工艺流程，降低工业废水的污染治理成本；透明衬底对光没有吸收性，能够降低发光损耗，增加发光器件芯片的整体出光效率；同时生长衬底可以重复利用，降低生产成本，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。