简介:
本申请提出了一种高比重钨基合金蚀刻剂及其配制和使用方法,涉及半导体制造领域。一种高比重钨基合金蚀刻剂,按重量百分比计算,包括以下组成:强氧化剂18‑30%、催化剂6‑15%、缓蚀剂0.1‑1.0%、稳定剂1‑3%、pH缓冲剂1‑5%,余量为水;所述蚀刻剂的pH为13‑14。配制方法为:往水中加入催化剂,再添加强氧化剂,混合均匀后加入缓蚀剂、稳定剂和pH缓冲剂,调节pH为13‑14,即可配制得到所述高比重钨基合金蚀刻剂。本配方选取的化学试剂对作业人员具有较低的健康风险系数,且作业后产生的工业废水具有较低的环境风险系数,克服了现有工艺下作业安全风险性高和环境污染负荷大的特点。
本申请提出了一种高比重钨基合金蚀刻剂及其配制和使用方法,涉及半导体制造领域。一种高比重钨基合金蚀刻剂,按重量百分比计算,包括以下组成:强氧化剂18‑30%、催化剂6‑15%、缓蚀剂0.1‑1.0%、稳定剂1‑3%、pH缓冲剂1‑5%,余量为水;所述蚀刻剂的pH为13‑14。配制方法为:往水中加入催化剂,再添加强氧化剂,混合均匀后加入缓蚀剂、稳定剂和pH缓冲剂,调节pH为13‑14,即可配制得到所述高比重钨基合金蚀刻剂。本配方选取的化学试剂对作业人员具有较低的健康风险系数,且作业后产生的工业废水具有较低的环境风险系数,克服了现有工艺下作业安全风险性高和环境污染负荷大的特点。