简介： 本发明提出了一种无砷化制造发光器件芯片的方法，包括如下步骤：生长衬底依次外延生长预置转换层、外延层N区、有源区和外延层P区；利用腐蚀液腐蚀预置转换层，通过机械牵引的方式整体分离外延层N区、有源区和外延层P区；将整体分离后获得的外延层N区经过表面处理步骤之后，通过第二键合介质结合功能衬底；经过光刻、蒸镀和剥离，或经过蒸镀、光刻和刻蚀分别在外延层N区和外延层P区形成N面电极和P面电极。本发明的生长衬底的As不会带入发光器件制备的后续工艺流程，降低工业废水的污染治理成本，同时生长衬底可以重复利用，降低生产成本，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。