简介:
本发明提供如下所述氟离子除去方法,即在由半导体制造工厂排出的含有氟离子的pH4.0以下的排水中添加氧化镁,在10~25℃的温度下处理,加入凝集剂进行固液分离,其中所述氧化镁是在700~1, 000℃烧结氢氧化镁而得到的,且BET比表面积为40~200m2/g。本发明还提供能够吸附除去排水中所含氟离子的方法。
本发明提供如下所述氟离子除去方法,即在由半导体制造工厂排出的含有氟离子的pH4.0以下的排水中添加氧化镁,在10~25℃的温度下处理,加入凝集剂进行固液分离,其中所述氧化镁是在700~1, 000℃烧结氢氧化镁而得到的,且BET比表面积为40~200m2/g。本发明还提供能够吸附除去排水中所含氟离子的方法。