简介： 本发明公开了一种提高工业研磨硅首次库伦效率的负极材料制备方法，包括如下步骤：S1、将微米硅与研磨剂按照质量比例研磨，该步骤使用质量比例为微米硅∶研磨剂=（1∶3，1∶4，1∶9，1∶12），研磨时间为5h，转速为额定转速的85%‑95%；S2、加入不同量的可溶于或微溶于研磨剂的改性剂进行研磨，利用改性剂将表面形成的Si‑O键、OH官能团原位转为一层惰性稳定结构；S3、将浆料进行干燥处理，使物料和溶剂分离，最后得到改性的硅粉体负极材料。本发明将微米硅纳米化过程中表面形成的硅氧烷或羟基结构转化成惰性稳定相，实现既可以抑制体积膨胀，又可以减少首次充放电过程中材料表面形成SEI膜对锂离子的消耗，从而提高首次库伦效率的目的。