简介： 本发明公开了一种缺陷态石墨烯包覆高镍正极材料的制备方法，属于电池制备技术领域。本发明以硫酸镍作为镍源、硫酸钴作为钴源和硫酸锰作为锰源，通过共沉淀法得到[Ni_0.893Co_0.054Mn_0.053](OH)₂前驱体；然后将前驱体与氢氧化锂、氢氧化铝混合高温煅烧得到高镍材料Li[Ni_0.886Co_0.049Mn_0.050Al_0.015]O₂；最后将高镍材料与缺陷态石墨烯混合，即得到缺陷态石墨烯包覆的高镍正极材料。本技术方案可以改善高镍正极材料电导率低的缺点，可以有效的抑制高镍正极材料与电解液接触而发生的副反应。