简介： 本发明公开的Li、Na共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法，采用的是脉冲 激光沉积法，首先将纯氧化锌、碳酸锂和碳酸钠粉末球磨混合后压制成型，烧 结，制得掺Li2O和Na2O的ZnO靶材；然后在脉冲激光沉积装置的生长室中， 以掺Li2O和Na2O的ZnO为靶材，以O2为生长气氛，控制O2压强5-30pa， 激光频率为1-5Hz，生长温度为300℃-600℃，在衬底生长p型ZnO晶体薄 膜。本发明方法可以实现实时掺杂；掺杂浓度可以通过调节生长温度和靶材中 Li和Na的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的p型ZnO晶体薄膜具有良 好的电学性能，重复性和稳定性。