简介： 二维二硫化钨是一种类石墨烯的新型二维材料，在电学器件、能源、生物和复合材料等方面有极大的应用潜力。制备二维二硫化钨方法包括机械剥离、电化学锂离子插层法、液相剥离法。水热法以及化学气相沉积法等，其中化学气相沉积法在制备二维二硫化钨时有着尺寸、层数可控，材料结晶质量高等方面的优势。目前CVD法制备二硫化钨的研究较少，已有的报道中制备的二维二硫化钨尺寸只有几十到一百微米，无法达到可控生长的目的。本专利围绕化学气相沉积法，改进生长工艺，使生长过程不再需要真空低压条件，在常压下就可进行，使用简单的单温区管式炉即可生长出高质量的，使实验过程更加简单，实验成本大大降低，并且提高了实验制备的可控性。