简介:
本发明公开了一种阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料及其制备方法,制备方法为:将高镍三元前驱体、锂源、金属氟化物和含锆化合物按比例混合均匀,得到混合物;将得到的混合物在氧气气氛中先低温预烧再高温煅烧,得到阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体;将得到的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体经过破碎、过筛得到单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体;将得到的单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体和含硼化合物、含钨化合物混合均匀,在氧气条件下进行煅烧,得到阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料。使高镍单晶三元材料放电容量、循环性能、内阻得到了明显的改善。
本发明公开了一种阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高
镍单晶三元材料及其制备方法,制备方法为:将高镍三元前驱体、
锂源、金属氟化物和含锆化合物按比例混合均匀,得到混合物;将得到的混合物在氧气气氛中先低温预烧再高温煅烧,得到阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体;将得到的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体经过破碎、过筛得到单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体;将得到的单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体和含硼化合物、含钨化合物混合均匀,在氧气条件下进行煅烧,得到阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料。使高镍单晶三元材料放电容量、循环性能、内阻得到了明显的改善。