泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列及其制备方法
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泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列及其制备方法
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简介: 本发明涉及一种泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域。以泡沫镍为镍源,硒粉为硒源,采用乙二胺溶剂热法制备泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列。本发明方法简单、成本低,能很好地控制晶体的生长,制备的二硒化三镍为一维的单晶线状结构,该纳米线的直径为30‑‑50纳米,长度可达4‑6微米。这种泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列结构在锂离子电池、超级电容器、电解水制氢等电化学领域具有明显的应用优势。
本发明涉及一种泡沫支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域。以泡沫镍为镍源,硒粉为硒源,采用乙二胺溶剂热法制备泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列。本发明方法简单、成本低,能很好地控制晶体的生长,制备的二硒化三镍为一维的单晶线状结构,该纳米线的直径为30‑‑50纳米,长度可达4‑6微米。这种泡沫镍支撑的单晶二硒化三镍纳米线阵列结构在离子电池、超级电容器、电解水制氢电化学领域具有明显的应用优势。
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