简介： 本发明涉及一种半导体元件的制造方法。在离子注入步骤中,锂(LI)、硫(S)或硒(SE)被用作掺杂剂,它们具有比硅半导体制造工艺中常用作掺杂剂的磷(P)或砷(AS)高的对硅的扩散系数。在激活步骤中,通过将固态激光器或准分子激光器与半导体激光器结合使用来对离子注入表面进行激光退火。在激活步骤期间半导体激光器将激光束连续地照射到整个晶片表面。固态激光器或准分子激光器发射脉冲激光束。当按照上述配置方式时,就能防止器件失效的出现从而制造出具有令人满意的特性的半导体元件。亦有可能防止在激光照射期间产生的热引起的器件损坏。