简介： 本发明涉及一种硅光伏电池及其制备方法，所述硅光伏电池的制备方法包括：n型硅片表面硅纳米线阵列的制备；将含有绝缘纳米颗粒和Spiro‑OMeTAD的氯苯溶液通过旋涂法旋涂于n型硅片上，并进行退火处理；接着将PEDOT:PSS溶液旋涂于n型硅片上，并进行退火处理，正面电极的制备；n型硅片背面8‑羟基喹啉‑锂/氟化锂复合界面层的制备；背面铝电极的制备。通过旋涂含有绝缘纳米颗粒和Spiro‑OMeTAD的氯苯溶液，在形成Spiro‑OMeTAD层的同时，绝缘纳米颗粒将沉积于n型硅片表面，有效减少n型硅片表面的缺陷态，降低硅光伏电池的表面复合速率，进而提高太阳能电池的光电转换效率。 1