简介： 本申请涉及一种电光调制器，所述电源能够产生使所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一电极和所述第三电极之间激发出铌酸锂的高阶电光效应的较高的变化的电场。当产生铌酸锂的高阶电光效应时，所述电光调制器的半波电压显著降低。因此，所述电源提供较高的直流偏置电压和较低的射频电压就能够实现信号的调制。所述电光调制器无需再使用射频放大器等器件进行射频信号放大，也符合CMOS驱动电压的要求。因此所述电光调制器的电路部分能够完全集成在芯片上。因此能够实现较大的调制频宽，减小射频损耗，保证调制速率。所述电光调制器实现了低半波电压和较大的调制频宽的有益效果。