简介:
本发明属于电子陶瓷材料技术领域,公开了一种低介低损耗介质材料及其制备方法,化学式为Li3Mg2Nb1‑xMxO6,其中0.02≤x≤0.08,M为(Li1/5W4/5)或(Mg1/4W3/4);采用固相合成法,将Li2CO3、MgO、Nb2O5、WO3按化学计量比混合;经球磨、烘干、过筛后预烧得到预烧粉末;再次球磨、烘干、过筛后进行造粒,再压制成坯体;坯体烧结,保温后降至室温制得所需微波介质陶瓷。本发明有效改善了锂镁铌陶瓷的微波介电性能,并降低最佳烧结温度,得到一种低介低损耗,适用于高频信号传输的新型锂镁铌系介质材料。此外,该陶瓷体系无毒,无污染,符合环保要求;且制备工艺简单,成本低,适用于规模化生产,可作为基板等封装材料。
本发明属于电子陶瓷材料技术领域,公开了一种低介低损耗介质材料及其制备方法,化学式为Li
3Mg
2Nb
1‑xM
xO
6,其中0.02≤x≤0.08,M为(Li
1/5W
4/5)或(Mg
1/4W
3/4);采用固相合成法,将Li
2CO
3、MgO、Nb
2O
5、WO
3按化学计量比混合;经球磨、烘干、过筛后预烧得到预烧粉末;再次球磨、烘干、过筛后进行造粒,再压制成坯体;坯体烧结,保温后降至室温制得所需微波介质陶瓷。本发明有效改善了
锂镁铌陶瓷的微波介电性能,并降低最佳烧结温度,得到一种低介低损耗,适用于高频信号传输的新型锂镁铌系介质材料。此外,该陶瓷体系无毒,无污染,符合环保要求;且制备工艺简单,成本低,适用于规模化生产,可作为基板等封装材料。