简介： 本发明公开了一种用于铜互联的导电阻挡层材料及其制备方法。该材料包括以下组分：碳酸锂、镍粉、氧化铜、氧化铝、二氧化钛、硬脂酸、油酸、钛酸钠、钙钛矿、氮化硅、异丙醇铝、纳米碳、马来酸酐接枝剂、聚乙二醇。制备过程为，清洗基片；混合碳酸锂、镍粉、氧化铜、氧化铝、二氧化钛、硬脂酸、油酸、钛酸钠、钙钛矿、氮化硅、异丙醇铝、纳米碳、马来酸酐接枝剂、聚乙二醇；再将混合物依次与基片和Cu完成磁控溅射获得导电阻挡层材料。与现有技术相比，本发明所提供的阻挡层材料热稳定高，抗氧化性、方块电阻低，长久防止亦未出现Cu‑Si化合物。