简介： 本发明提供一种垂直MXene阵列极片的制备方法，属于电池技术领域。该制备方法，包括如下步骤：MXene纳米片的制备和垂直MXene阵列极片的制备；将MXene纳米片粉末进行分散，配成分散液，得到MXene分散液；裁取铜箔置于冷冻板上；将MXene分散液置于铜箔上并进行涂布，涂布厚度为50微米‑500微米；待涂布完成后，进行冻干，冻干结束后得到垂直MXene阵列极片。本发明提供的制备方法利用冰模板法将MXene纳米片设计成垂直三维结构，能够有效的利用所有MXene，并且在和Li反应过程中会在垂直MXene表面形成均匀垂直的SEI层，有效减少金属锂和电解液的副反应，作为锂金属负极具有好的性能。