锗酸铋二维纳米片及其制备方法
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锗酸铋二维纳米片及其制备方法
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简介: 本发明公开一种锗酸铋二维纳米片及其制备方法,所述锗酸铋形貌为二维纳米片层结构,片层结构厚度在3~50 nm,片层直径200~500 nm。所述锗酸铋二维纳米片是以三碘化铋、二氧化锗为原料,以乙二醇、水的混合液为溶剂,泡沫镍为衬底,用溶剂热法制备的。所述三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为(0.3~2):1,三碘化铋和二氧化锗的总加入量为1~4 mmol,乙二醇的用量为5~25 mL,水的用量为5~25 mL。本发明用于锂离子电池负极材料时,在100 mA/g的电流密度下,该材料的首次可逆容量可达1200~1469 mAh/g,经100次循环,容量保持率为50%~65%,不仅较高的充放电容量,而且表现出良好的循环性能。
本发明公开一种锗酸铋二维纳米片及其制备方法,所述锗酸铋形貌为二维纳米片层结构,片层结构厚度在3~50 nm,片层直径200~500 nm。所述锗酸铋二维纳米片是以三碘化铋、二氧化锗为原料,以乙二醇、水的混合液为溶剂,泡沫为衬底,用溶剂热法制备的。所述三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为(0.3~2):1,三碘化铋和二氧化锗的总加入量为1~4 mmol,乙二醇的用量为5~25 mL,水的用量为5~25 mL。本发明用于离子电池负极材料时,在100 mA/g的电流密度下,该材料的首次可逆容量可达1200~1469 mAh/g,经100次循环,容量保持率为50%~65%,不仅较高的充放电容量,而且表现出良好的循环性能。
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