简介： 一种基于MoS₂的全固态电解质忆阻器及其制备方法，属于电子制备工艺以及类脑计算领域，首先选用MoS₂作为沟道材料，MoS₂通过ALD和CVD相结合的方法来制备，选用锂盐作为固态电解质，使用磁控溅射的方法来制备固态电解质层，使用电子束蒸发和磁控溅射等方法来制备电极。通过栅端电场调制锂离子的嵌入和脱出改变二硫化钼的能带结构，同时源漏两端施加读取电压得到沟道电导的变化，使得忆阻器件具有良好的电导更新线性度和更低的操作功耗，可以应用于新一代神经形态计算。利用上述的器件结构已经制备出相应的全固态电解质忆阻器，在脉冲激励下，实现了良好的电导更新对称性和近98％的电导线性度，同时器件具有10⁵以上的耐久性。