简介： 本发明公开了一种离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体的制备方法，该方法为：首先，将去离子水、氨水以及液碱加入反应釜，配制底液；然后将氯化钴、金属掺杂剂、氨水和液碱加入反应釜，通过控制进料速度控制反应，获得反应浆液；最后，将反应浆液陈化、离心洗涤和干燥，获得离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体；本发明获得的离子掺杂的层状羟基氧化钴前驱体通过液相合成法能够直接合成钴酸锂正极材料，由于其特殊层状结构，层状羟基氧化钴在嵌锂后仍会保持层状结构，将会极大的提高材料的电化学性能；并且，选用该材料作为前驱体，采用常规混锂高温煅烧，煅烧的温度和时间会更低更短，极大的降低生产过程中的能耗，降低合成成本。