简介： 本实用新型公开了一种高速光调制器，包括：铌酸锂基底晶片、形成于铌酸锂基底晶片表面的脊形结构、形成于基底晶片的表面且部分形成于脊形结构中的光波导以及形成于铌酸锂基底晶片表面、脊形结构的两侧的沟槽、放置于铌酸锂基底晶片的表面的缓冲层薄膜、放置于缓冲层薄膜上方金属电极；本实用新型的有益效果在于：本实用新型提出的高速光调制器结构具有更低的微波有效折射率、更高的电极阻抗和更高的电光调制效率，采用更小的电极间距和更薄的缓冲层薄膜，不仅可以实现高调制带宽，还有利于实现半波电压的降低。