简介： 本发明提供了一种磷酸镓晶体的助熔剂生长法。该法以碳酸锂—氧化钼作助熔剂,以氧化镓及磷酸二氢铵为原料,将磷酸二氢铵、氧化镓、碳酸锂、氧化钼按1∶1.23∶1.12∶6.57的重量比称量,混合均匀后放入铂金坩埚中,在生长炉中加热熔融,再冷却至溶液饱和点温度之上10-20℃,得到磷酸镓与助熔剂的混合熔体;将籽晶引入生长炉,待籽晶开始熔化后,将温度降至饱和点以上1-2℃,同时以30转/每分钟的旋转速率旋转,24小时后开始降温,生长结束后,从溶液中提出晶体,以30℃/小时的降温速率降至200℃后,自然冷却至室温。本发明可以有效的消除晶体内水的含量,提高磷酸镓晶体的压电性能。