简介： 本发明提供一种复合晶片，其在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。具体来说是一种复合晶片的制造方法，其至少包括：在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在接合体的至少一个表面具备具有比氧化物单晶晶片小的热膨胀系数的保护晶片的工序；以及以80℃以上的温度对具备保护晶片的接合体进行热处理的工序，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。