简介： 本发明公开了一种自对准高精度铌酸锂调制器的制备方法，包括以下步骤：S1:对有基底、下包层、薄膜铌酸锂构成的晶圆通过前序工艺沉积金属层；S2:采用光刻技术将波导的金属掩膜和电极的图形转移至金属层；S3:经铌酸锂刻蚀工艺在波导两侧刻蚀沟槽形成铌酸锂波导；S4:通过半导体工艺在金属层上制备保护层；S5:对保护层图形化，电极上面的保护图形将电极包覆，而波导上面的金属掩膜裸露在外；S6:去除裸露在外的金属掩膜；S7:去除保护电极的保护图形；S8:制备上包层。本发明在图形化金属层时，同时将制备波导所需的金属掩膜和电极同时转移至金属层，实现两者之间自对准高精度效果，避免采用套刻工艺带来误差。