简介： 本发明公开了一种衬底上单晶薄膜的通孔刻蚀方法，包括以下步骤：在衬底上单晶薄膜表面形成通孔窗口图形掩膜层；通过窗口刻蚀单晶薄膜；去除图形掩膜层，得到刻蚀了通孔图形的单晶薄膜；该方法与主流的简单粗放地采用传统刻蚀铌酸锂条形不同，而是通过具有高刻蚀选择比的掩膜层来高精密地刻蚀穿孔铌酸锂薄膜，且可与下层衬底金属互联，实现衬底与铌酸锂集成和控制；为铌酸锂基器件与下层衬底进一步电气连接提供重要技术性基础。