简介： 本发明涉及一种由基板（20）或供体基板形成半导体材料层（26）的方法，所述基板或供体基板由相同的半导体材料制成，所述方法包括：在所述供体基板中形成浓度在5×1018原子/cm3和5×1020原子/cm3之间的高锂浓度区域（22）；然后，将氢注入（24）到在所述高锂浓度区域或所述高锂浓度区域的附近的供体基板中；将加固件（19）施加至所述供体基板；施加热预算以使得通过所述注入界定的层（34）剥离。