简介:
一种高速相位型一维空间光调制器及方法,包括金属电极包覆的铌酸锂晶体、带有电极的电路板支撑底座以及用于连接电极的金属线;金属电极包覆的铌酸锂晶体包括:由内而外依次设置于铌酸锂晶体外侧的二氧化硅沉积层以及金属电极层,金属电极层设有铬粘合层和金电极层,位于铌酸锂晶体上表面的金属电极层为多通道一维阵列结构,位于铌酸锂晶体下表面的金属电极层为调制器整块地电极。当光束从铌酸锂晶体侧面入射到铌酸锂中,同时向电路板支撑底座上施加驱动电压,利用晶体电光效应,铌酸锂晶体折射率将根据所加电压信号而变化,从而使得不同像素电极处出射的激光相位也随之相应改变。本发明以百微米厚度铌酸锂晶体为基底,利用电光效应实现光的相位在一维方向高速调制。
一种高速相位型一维空间光调制器及方法,包括金属电极包覆的铌酸
锂晶体、带有电极的电路板支撑底座以及用于连接电极的金属线;金属电极包覆的铌酸锂晶体包括:由内而外依次设置于铌酸锂晶体外侧的二氧化硅沉积层以及金属电极层,金属电极层设有铬粘合层和金电极层,位于铌酸锂晶体上表面的金属电极层为多通道一维阵列结构,位于铌酸锂晶体下表面的金属电极层为调制器整块地电极。当光束从铌酸锂晶体侧面入射到铌酸锂中,同时向电路板支撑底座上施加驱动电压,利用晶体电光效应,铌酸锂晶体折射率将根据所加电压信号而变化,从而使得不同像素电极处出射的激光相位也随之相应改变。本发明以百微米厚度铌酸锂晶体为基底,利用电光效应实现光的相位在一维方向高速调制。