简介:
本发明涉及微波介电陶瓷材料制造技术领域,具体地说是铌镁酸铋基微波介电陶瓷材料及制备方法。本发明通过调整介电功能添加剂的合理比例,所述材料的组分按摩尔百分比计算为:Bi2O359%~60%,MgO6.9%~7.0%,Nb2O530%~33.2%为主体材料,Li2CO3、TiO2各为0.15%~3%,为介电功能添加剂。利用传统固相合成法制备的铌镁酸铋基陶瓷材料,介电常数为188~213,介电损耗为0.00027~0.00031,介电温度系数为-683ppm/℃~-523ppm/℃;本发明的铌镁酸铋基微波介电陶瓷材料可用于集成电路中介质压控微波器件。
本发明涉及微波介电陶瓷材料制造技术领域,具体地说是铌镁酸铋基微波介电陶瓷材料及制备方法。本发明通过调整介电功能添加剂的合理比例,所述材料的组分按摩尔百分比计算为:Bi2O359%~60%,MgO6.9%~7.0%,Nb2O530%~33.2%为主体材料,Li2CO3、TiO2各为0.15%~3%,为介电功能添加剂。利用传统固相合成法制备的铌镁酸铋基陶瓷材料,介电常数为188~213,介电损耗为0.00027~0.00031,介电温度系数为-683ppm/℃~-523ppm/℃;本发明的铌镁酸铋基微波介电陶瓷材料可用于集成电路中介质压控微波器件。