Ga2O3/C纳米线锂离子电池负极材料的制备方法
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Ga2O3/C纳米线锂离子电池负极材料的制备方法
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简介: 本发明提供一种静电纺丝制备Ga2O3/C纳米线作为锂离子电池负极材料的方法。具体操作是:取一定量的Ga(NO3)3·xH2O、N,N‑二甲基甲酰胺和乙酰丙酮加入到烧杯中,再向烧杯加入适量聚乙烯吡咯烷酮并搅拌5h形成透明溶液,然后转移至静电纺丝注射器中纺丝5h,结束后取下纺布在100℃烘箱中干燥12h,将烘干后的纺布置于N2环境中,以5℃/min的升温速度,在500‑900℃下煅烧3h,得到Ga2O3/C纳米线。
本发明提供一种静电纺丝制备Ga2O3/C纳米线作为离子电池负极材料的方法。具体操作是:取一定量的Ga(NO3)3·xH2O、N,N‑二甲基甲酰胺和乙酰丙酮加入到烧杯中,再向烧杯加入适量聚乙烯吡咯烷酮并搅拌5h形成透明溶液,然后转移至静电纺丝注射器中纺丝5h,结束后取下纺布在100℃烘箱中干燥12h,将烘干后的纺布置于N2环境中,以5℃/min的升温速度,在500‑900℃下煅烧3h,得到Ga2O3/C纳米线。
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