简介： 本发明公开了一种适用于退火质子交换工艺的铌酸锂清洗方法，在退火质子交换法制备铌酸锂相位调制器芯片的制备介质掩模工艺和质子交换工艺之间以及质子交换工艺和退火工艺之间增设彻底清洗晶圆工艺，所述彻底清洗晶圆工艺包括以下步骤：将晶圆置于浓硫酸双氧水洗液中浸泡；置于无水乙醇中加热并进行超声处理；置于丙酮中加热并进行超声处理；置于RCA一号洗液中加热并进行兆声超声处理；置于RCA二号洗液中加热恒温处理；采用去离子水兆声喷洒。本发明采用浓硫酸双氧水混合洗液替代铬酸洗液，避免了铬酸洗液中大量的金属离子杂质污染衬底，同时也达到去除有机污染物的目的。