简介： 本发明涉及一种能源技术领域的用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法,以锡粉为原料、IV～VI族单体作为纳米线生长方向诱导剂,以贵金属作为催化剂,在800～1300℃范围内,常压下热蒸发,在硅基底上得到二氧化锡纳米线阵列。本发明首次提出使用IV～VI族单体作为生长方向诱导试剂,使纳米线以气液固(VLS)机制在表面能较高的(001)面优先呈阵列生长,从而得到规则、有序、较长的二氧化锡纳米线阵列。该纳米线阵列适用于高性能锂电池电极。