简介： 本发明公开了一种用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液的制备方法。该抛光液选用纳米SiO2磨料,磨料的浓度为20～40wt%,粒径15～30nm,以利于材料的去除及表面平整化。抛光液的pH值10～12,既能满足有效去除,也能保证硅溶胶的稳定性。制备过程中采用负压搅拌制备法,避免了传统的复配、机械搅拌等制备方法带来的有机物、大颗粒、金属离子等的污染,可以达到超净的要求。