简介： 本发明涉及光电子材料技术领域，公开了一种8英寸铌酸锂晶体的生产方法，包括如下步骤：（1）多晶原料的制备：将碳酸锂和氧化铌原料混合烧结后压块破碎，得到多晶原料；（2）晶体的生长：将多晶原料放入位于多层温场中的铂金坩埚内，采用提拉法进行晶体生长，经过引晶、缩颈、放肩、收肩、等径生长、拉脱后得到多畴晶体；（3）晶体的退火和极化：将多畴晶体埋入多晶原料中，进行退火和极化，得到所述8英寸铌酸锂晶体。本发明晶体生长过程中采用多层温场，保证温场均匀无突变，避免晶体多晶和开裂，晶体生长更容易控制；采用埋粉法退火极化，晶体不易开裂；制备多晶原料时进行多次混合烧料，可以确保晶体居里温度稳定。