简介： 本发明提供了一种c轴取向铌酸锂晶体薄膜的制 备方法，该方法是采用脉冲激光沉积，以非晶SiO2薄膜作为缓冲层在硅单晶衬底上生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜，其步骤如下：首先采用热氧化技术在硅衬底上生长出非晶SiO2薄膜；然后以氧化后的硅为衬底，以等化学计量比LiNbO3多晶陶瓷或富锂LiNbO3多晶陶瓷为靶材，放入脉冲激光沉积设备的真空室中，靶材与衬底之间距离在3－5cm，通入高纯氧气进行沉积，氧压保持在10－50Pa，激光频率在1－7Hz，沉积温度在500℃－650℃，生长c轴取向LiNbO3晶体薄膜。本发明方法制备工艺简单，所得LiNbO3晶体薄膜具有良好的c轴择优取向性。