N-CQDs锂离子印迹传感器及制备方法和应用
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N-CQDs锂离子印迹传感器及制备方法和应用
来源:北方有色网
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简介: 本发明涉及离子印迹传感器,特指一种N‑CQDs锂离子印迹传感器及制备方法和应用,属于环境材料制备技术领域。首先以廉价绿色的柠檬酸(CA)为碳源,利用乙二胺(EDA)进行氮掺杂,以获得荧光性能良好的氮掺杂碳量子点(N‑CQDs)。然后利用将N‑CQDs与离子印迹技术(IIT)结合,以苯并15冠5(B15C5)与Li+的有机络合物作为模板离子、MAA为功能单体、EGDMA为交联剂、ABIN为引发剂采用沉淀聚合法制备N‑CQDs锂离子印迹传感器(N‑CQDs/IIP),并用于检测。制备的N‑CQDs锂离子印迹传感器具有很好的稳定性和光学性能,且具有选择性识别对锂离子的能力。
本发明涉及离子印迹传感器,特指一种N‑CQDs离子印迹传感器及制备方法和应用,属于环境材料制备技术领域。首先以廉价绿色的柠檬酸(CA)为碳源,利用乙二胺(EDA)进行氮掺杂,以获得荧光性能良好的氮掺杂碳量子点(N‑CQDs)。然后利用将N‑CQDs与离子印迹技术(IIT)结合,以苯并15冠5(B15C5)与Li+的有机络合物作为模板离子、MAA为功能单体、EGDMA为交联剂、ABIN为引发剂采用沉淀聚合法制备N‑CQDs锂离子印迹传感器(N‑CQDs/IIP),并用于检测。制备的N‑CQDs锂离子印迹传感器具有很好的稳定性和光学性能,且具有选择性识别对锂离子的能力。
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