简介： 一种用于制备多层薄膜结构的气相沉积方法包括：提供准备用于第一层的化合物和准备用于第二层的化合物的每个组分元素的蒸气源，其中该蒸气源包括至少锂源、氧源、一种或多种玻璃形成元素的一个或多个源，及一种或多种过渡金属的一个或多个源；将基材加热至第一温度；向已加热的基材上共沉积来自至少锂、氧和该一种或多种过渡金属的蒸气源的组分元素，其中该组分元素在该基材上反应，以形成晶态含锂过渡金属氧化物化合物的层；将该基材加热至在距该第一温度在大致170℃或更小的温度范围内的第二温度；以及向已加热的基材上共沉积来自至少锂、氧和该一种或多种玻璃形成元素的蒸气源的组分元素，其中该组分元素在该基材上反应，以形成非晶态含锂氧化物或氧氮化物化合物的层。