简介： 本发明公开基于铁电调控二维钙钛矿光电探测器及其制备方法。制备流程为在超声清洁后SiO₂衬底上，采用光刻或掩模版蒸镀的方法制作栅电极，然后在此之上使用旋涂的方法制备聚偏氟乙烯‑三氟乙烯共聚物(P(VDF‑TrFE))有机铁电聚合物薄膜，经过退火处理，去除界面残留溶剂及保证薄膜具有良好结晶特性。在此之上，使用掩模版蒸镀源漏电极，最后在氮气环境下使用旋涂的方法，旋涂(PEA)₂SnI₄前驱体溶液，再经过退火使溶液挥发促进结晶制备完成(PEA)₂SnI₄光电场效应管器件。该器件对可见光光谱范围有较好响应，响应率为14.57A/W,探测率高达1.74x10¹²Jones。响应时间上升沿50ms，下降沿1.5s。