简介： 本发明提供一种制备亚微米周期任意极化图案铌酸锂微盘腔的方法，其包括以下步骤：步骤一，生成带下电极的铌酸锂薄膜；步骤二，在铌酸锂薄膜上制备微盘腔掩模图案；步骤三，对样品进行反应离子束刻蚀，形成铌酸锂微盘；步骤四，在铌酸锂微盘上构造任意图案的极化结构；步骤五，对样品进行金属层和二氧化硅层刻蚀，形成边缘悬空的周期极化铌酸锂微盘腔。该发明操作简单，精度高，可实现具有小周期任意极化图案的铁电晶体微腔的制备。