简介： 本发明实施例公开了一种制备钽酸锂晶片的方法，包括：获取钽酸锂基片；清洗钽酸锂基片；将钽酸锂基片置于腐蚀溶液中，并且在钽酸锂基片的中心位置处加热腐蚀溶液，使钽酸锂基片在腐蚀溶液中腐蚀第一时间，获得钽酸锂晶片；清洗并干燥钽酸锂晶片。本发明的实施例的方法中，对钽酸锂基片进行腐蚀时，在钽酸锂基片的中心位置处加热腐蚀溶液，通过对该加热位置的控制，实现了对钽酸锂基片表面的温度分布的控制，进而控制了腐蚀速率，从而可以控制腐蚀后的表面粗糙度和均匀性。该方法制备的钽酸锂晶片的表面均匀性好，表面粗糙度小，并且背侵、背花等问题得到改善。