简介： 本发明涉及微电子器件领域，具体涉及一种基于单晶铌酸锂薄片压电材料的薄膜体声波谐振器，以及该谐振器的制备方法。本发明用于克服现有薄膜体声波谐振器机电耦合系数过低的缺陷，该薄膜体声波谐振器包括Si衬底，于Si衬底上形成的图形化键合胶支撑层，于键合胶支撑层上设置的单晶铌酸锂薄片，于键合胶间隙中设置的下电极层附着于铌酸锂薄片下表面，于铌酸锂薄片上表面形成上电极层，所述上电极层、下电极层对应设置。该薄膜体声波谐振器既能满足高频率，也能保持极大的机电耦合系数，能够达到43％，从而极大的提高了器件传输频率带宽；且该谐振腔结构简单、加工重复性好，能够获得一致性良好的大规模线列和阵列器件。