简介： 本发明涉及一种含硅负极材料的补锂方法及负极片、电池，该方法包括如下步骤：将含硅负极材料形成于集流体上，制得基片；将所述基片进行预加热，并将所述基片在真空条件的氛围下采用真空溅射的方式进行补锂；其中所述预加热的温度高于所述氛围的温度且低于所述补锂的靶材的熔点。上述含硅负极材料的补锂方法，通过对补锂腔室的氛围加热并控制温度不会超过靶材的熔点，避免靶材熔化导致靶材失效；通过对基片进行预加热以使靶材上的材料镀到基片上处于微熔状态，如此可以加速靶源粒子在薄膜表面的扩散，从而提高薄膜的均匀性和致密性。