简介： 一种钽酸锂晶体基片的黑化处理方法，采用氟化物材料与待处理的钽酸锂晶体基片充分接触，在非氧化性还原性气氛中，在450℃～600℃对钽酸锂晶体基片进行还原热处理，热处理时间为5-24小时。本发明获得的黑化钽酸锂晶体基片的体电阻率为109～1012Ωcm。本发明方法具有简单可靠、易操作、获得的钽酸锂晶体基片的电阻率的重复性好、成本低，适合批量生产的优点。