简介： 本发明公开一种自驱动钙钛矿横向单晶异质结光电探测器及制备方法，包括以下步骤：1)采用逆温结晶法获得α‑FAPbI3单晶种子，并利用逆温结晶法结合种子限域法将所得α‑FAPbI3单晶种子生长成α‑FAPbI3单晶薄片；2)利用逆温结晶法结合种子限域法通过液相外延工艺在所述的α‑FAPbI3单晶薄片上外延生长MAPbI3单晶薄片，形成环形的横向单晶异质结，横向单晶异质结上表面的两侧使用金属Ag作为顶部电极。本发明解决了垂直器件导致的入射光损失、界面上的大量缺陷问题，还能解决在液相外延生长时选取溶液的不同极性可能对上一阶段生长的钙钛矿造成大范围侵蚀和溶解的问题，且制备的光电探测器性能优越。