简介： 本实用新型提供了一种基于氟化锂/聚乙烯醇交替薄膜的有机半导体器件薄膜封装结构，首先制备氟化锂缓冲层，然后依次制备聚乙烯醇/氟化锂交替封装薄膜。本专利薄膜封装结构主要具备以下特征：①氟化锂缓冲层(6)覆盖于有机光电子器件(5)之上，其尺度适当，以使待封装有机半导体器件的电极(2和4)露在外面，而有机半导体器件的有机半导体活性层(3)被完全封装在里面；②第一层聚乙烯醇封装层(701)覆盖于氟化锂缓冲层(6)之上，第一层氟化锂封装层(702)覆盖于第一层聚乙烯醇封装层(701)之上，氟化锂封装层和聚乙烯醇封装层不断交替重叠至第N层氟化锂封装层(NO2)，N为大于等于1的整数。